雪崩光电二极管APD的工作原理是什么？雪崩二极管是利用半导体结构中碰撞电离和载流子渡越时间两种物理效应产生负阻的固体微波器件。从图中可以看出，整个关机过程可以用三个不同的时间间隔来表示，即存储时间ts、下降时间tf和尾时间tt，Apd雪崩光电二极管速度快，光电增益高，说明apd雪崩光电二极管产生的光电子在接受光辐射时，在apd雪崩光电二极管中渡越时间短，激发产生的光电子多，光电流大，这些特性要求器件中有较大的载流子浓度，但在工艺中它们被重掺杂。
1、半导体击穿半导体和半导体器件中的击穿现象
MichaelLevinshteinRussianAcademyOfSciences，russiajuhakostamovaaarafinland russianacademyofsergeyvainshteinuniversityofoulu，芬兰击穿现象半导体和半导体器件2005，208页.精装版85.00美元ISBN 4 Wor 1d scientific www .省略碰撞电离、雪崩和击穿效应是许多重要半导体器件的基础。
2、半导体MOS管雪崩测试过程中,提示preshort与postshort的区别
preshort是在雪崩电流施加前测试MOS管是否损坏，preopen可能是接触不良或者内部导线断了，postshort是指雪崩测试后MOS管损坏。如何正确选择MOS晶体管1？是用N通道还是P通道。选择一个好的MOS晶体管器件的第一步是决定是使用N沟道还是P沟道MOS晶体管。在典型的电源应用中，当MOS管接地并且负载连接到主电压时，MOS管构成低压侧开关。
当MOS管接在母线上，负载接地时，使用高压侧开关。这种拓扑通常采用p沟道MOS晶体管，也是出于电压驱动的考虑。确定所需的额定电压，或设备可以承受的最大电压。额定电压越高，设备成本越高。根据实践经验，额定电压应大于主线电压或母线电压。只有这样，我们才能提供足够的保护，使MOS管不会失效。就选择MOS晶体管而言，需要确定漏极和源极之间能承受的最大电压，即最大VDS。
3、谁能帮忙解释一下齐纳管,雪崩二极管哈
zenerdiodes(也叫齐纳二极管)它的电路符号是:这种二极管是一种半导体器件，在达到临界反向击穿电压之前一直具有很高的电阻。在这个临界击穿点，反向电阻降低到非常小的值，并且电流增加，而电压在这个低电阻区域保持恒定。齐纳二极管根据击穿电压分级。由于这一特性，齐纳二极管主要用作稳压器或电压参考元件。
串联可以获得更稳定的电压。齐纳二极管不同于锗二极管:如果反向电压(有时称为“偏压”)增加到特定值，对于微小的偏压变化，电流将显著增加。引起这种效应的电压称为“击穿”电压或“齐纳”电压。2DW7管击穿电压在5.8-6.5v之间，最大电流30mA。雪崩二极管是利用半导体结构中碰撞电离和载流子渡越时间两种物理效应产生负阻的固体微波器件。
4、请教气体放电二极管和雪崩二极管、TVS的区别?
看你问的问题，就知道你想知道保护二极管的区别和应用针对性。首先，气体放电二极管主要用于瞬时大电流，可以用来防止信号电路中的随机高压冲击。雪崩二极管和TVs(瞬态电压抑制器)主要用于ESD(静电放电)保护，电流相对较小，持续时间较短。
一种具有特殊金属陶瓷结构的气体放电器件，由贵金属焊料高温封接而成，配有高活性电子发射材料和放电点火机构。可用于瞬时过电压浪涌防护和点火。其高阻抗、极间电容低、冲击电流大，是其他放电管所不具备的。当线路出现瞬时过电压时，放电管被击穿，阻抗迅速下降，几乎处于短路状态。放电管通过线路接地或回路放出大电流，也将电压限制在低电位，从而保护线路和设备。
5、求,求所有电子元件用什么字母符号代表、都有什么作用、怎么计算、计算方…
对于初学者来说，建议看一下电子电路的完整图解，里面会详细介绍电子元件的动作符号等等。所有电路符号对电流的阻断作用称为电阻，用符号R表示，单位为欧姆、千欧、兆欧。、K？、M？快递。一、电阻型号命名方法:国产电阻型号由四部分组成(不适用于敏感电阻)。第一部分:主要名称，用字母表示，表示产品名称。例如，R代表电阻，W代表电位计。
第三部分:分类，一般用数字表示，个别类型用字母表示，表示产品属于什么类型。1普通，2普通，3超高频，4高阻，5高温，6精密，7精密，8高压，9特殊，G大功率，T可调。第四部分:序号，用数字表示，表示同一类产品中的不同品种，以区分产品的外形尺寸和性能指标，例如RT11常见碳膜电阻电子元器件的基本知识(2)电容是电子设备中广泛使用的电子元器件之一，广泛应用于DC隔离、耦合、旁路、滤波、调谐电路、能量转换、控制电路等。
当对6、什么是GTO晶闸管的关断损耗
GTO的栅极和阴极施加适当的负脉冲时，可以关断GTO的阳极电流。关断时阳极电流、电压和关断功率损耗随时间的变化曲线，关断时栅极电流、电压和阳极电流、电压随时间的变化曲线如图所示。从图中可以看出，整个关机过程可以用三个不同的时间间隔来表示，即存储时间ts、下降时间tf和尾时间tt。存储时间ts对应于从关断过程开始到出现α1 α21状态的时间间隔。在这段时间内，栅极抽取了大量过剩载流子，GTO的导通区被不断压缩，但总电流几乎不变。
尾时间tt是指从阳极电流到最小值直到最终达到保持电流的电流时间。在此期间，仍然有残余载流子被提取，但是阳极电压已经建立；因此，很容易因du/dt过高而使GTO关断无效，必须引起充分重视。GTO的关断损耗相当集中在下降时间tf，其瞬时功耗与峰值电压UP有关。
7、雪崩光电二极管APD的工作原理是什么?
利用雪崩倍增效应实现内部电流增益的半导体光电转换器件。Apd雪崩光电二极管速度快，光电增益高，说明apd雪崩光电二极管产生的光电子在接受光辐射时，在apd雪崩光电二极管中渡越时间短，激发产生的光电子多，光电流大，这些特性要求器件中有较大的载流子浓度，但在工艺中它们被重掺杂。