减少寄生效应的方法 减少寄生电阻的方法

什么成分寄生效果明显?闩锁效应是CMOS工艺特有的寄生效应,会严重导致电路失效,甚至烧毁芯片。避免闩锁的方法是降低衬底和n阱的寄生电阻,使寄生三极管不会处于正偏置状态,闩锁效应是什么?寄生元素效应是什么?在理想状态下,导线没有电阻、电容和电感,这就是所谓的“闩锁效应”,…如何修改其他,比如信号线与地面的距离。

1、…其他比如信号线与地之间的距离不变该如何修改呢?

protel99:双击改大安装孔,镀铜后再改回来;或者,在禁止层上的安装孔外面画一个圈,用铜覆盖,然后再删除。1电源、接地处理甚至整个PCB板的布线都很好,但是没有考虑周到的电源和接地干扰,性能就会下降,有时甚至会影响产品的成功率。地面的电气布线一定要重视,产生的功率和地面的噪音最小,保证产品质量。对于每一个从事电子产品设计的工程师和技术人员来说,都知道电源线路对地之间产生噪声的原因,现在只能减少噪声抑制的种类:众所周知的电源和增加对地之间的去耦电容。

0.3 mm,最(模拟电路不能在地面使用,薄的宽度可以达到0.05?0.07 mm,电源线1.2?宽度为2.5 mm数字电路PCB的接地线形成回路,形成接地网。)铜层具有大的接地面积,其中印刷电路板不被用作连接到地的接地线。或由多层薄膜制成,电源,各占底层。

2、过孔的寄生电容和电感及如何使用过孔(针对高速电路设计

例如,对于厚度为50Mil的PCB,如果过孔焊盘直径为20Mil(钻孔直径为10Mils),阻焊层直径为40Mil,那么我们可以通过上面的公式近似计算出该孔的寄生电容:c 1.41 x 4.4x 0.050 x 0.020/(0.0400.020)0.31 pf,由此电容引起的上升时间变化约为:T10902.2c (Z0/2) 2.2×0.31x虽然减缓单个过孔的寄生电容引起的上升延迟的效果并不明显,但是如果在布线中多次使用过孔进行层间切换,那么就会使用多个过孔,在设计中要慎重考虑。

3、什么是闩锁效应?

的闩锁效应是CMOS工艺特有的寄生效应,会严重导致电路失效,甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS有源区、P衬底、N阱和PMOS有源区组成的npnp结构产生的。当一个晶体管正偏时,会形成正反馈,形成闩锁。避免闩锁的方法是降低衬底和n阱的寄生电阻,使寄生三极管不会处于正偏置状态。静电是一种无形的破坏力,会影响电子元器件。

如果对器件结构中的氧化膜施加强电场,氧化膜将被介质击穿损坏。非常薄的金属化走线会被高电流损坏,并且会由于浪涌电流引起的过热而形成开路。这就是所谓的“闩锁效应”。在闩锁的情况下,器件在电源和地之间形成短路,导致大电流、EOS(电过载)和器件损坏。MOS工艺包含许多本征双极晶体管。在CMOS工艺中,阱和衬底的结合会导致寄生npnp结构。

4、什么元件的寄生效应明显,高频特性较差;什么元件的效应较小,适合解决…5、什么是寄生元件效应

在理想状态下,导线没有电阻、电容和电感。实际上,导体中使用铜,它具有一定的电阻率,如果导体足够长,积累的电阻也是相当大的。如果两根平行导线之间存在电压差,就相当于形成了一个平行板电容器(想象一下),通电导线周围会形成磁场(尤其是电流变化时),磁场会产生感应电场,对电子的运动产生影响。可以说,每一根实际的导线,包括元器件的引脚,都会产生感应电动势,也叫寄生电感。

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